芯科技消息（文/罗伊）展望动态随机存取存储器（DRAM）第4季市况，研调机构集邦存储器储存研究（DRAMeXchange）指出，在报价小幅下滑但成本持续优化下，尽管第3季基期已高，三大DRAM原厂出货量仍预期在服务器及手机需求带动下保持增长、获利有望维持当前水准。

集邦表示，今年下半年DRAM需求端库存已恢复较健康水位，加上部分厂商为避免可能的关税冲击，在第3季提前备货，推升DRAM供应商第3季位元出货量（sales bit）大增、DRAM总产值增长4%，结束连3季下滑。

观察各厂第3季营收表现，三星受惠陆系手机厂商提前备货力道强劲，以及服务器需求缓步回温，销售位元出货量增长逾3成，带动营收季增5%，来到71.2亿美元（单位下同）。

SK海力士销售位元出货量增长约2成，营收季增3.5%，来到44.1亿元；美光则因第2季基期较低，第3季位元出货增长近3成，营收30.7亿元，但市占率失守2成大关。集邦认为，美光因缺乏新厂（greenfield）增加投片，市占表现方面恐将持续受压缩。

尽管第3季出货量走扬，但受整体产业价格下跌近2成影响，DRAM供应商的营业利益率呈现衰退情况。三星营业利益率由前季的41%下滑至33%，已接近公司中长期低标30%门槛，集邦认为，三星未来继续调降价格意愿将十分有限。

SK海力士因第3季转换部分服务器存储器产能至移动式存储器，成本顺利优化（cost reduction），加上第2季基期低，第3季营业利益率从28%小幅下滑至24%。美光本次财报季区间（6-8月）报价跌幅略高于韩系厂商（7-9月），因此营业利益率跌幅较深，从第2季的35%下跌至24%。

台厂部分，南亚科第3季受惠于销售位元出货量大增超过35%，尽管管报价下滑双位数，营收仍较前季增长18.7%，但毛利率、营业利益率持续下跌。在相对高基期下，第4季出货量恐衰退，获利能力要见反弹仍需时间。

就华邦电而言，整体运营表现维持稳健，DRAM营收较第2季小幅增长5%。力晶受客户端库存水位偏高影响，出货量有所下滑，导致营收衰退6%。（不包含DRAM代工业务营收）。

另就产能规划而言，三星今年以来投片规划大致维持不变。展望明年，Line13的DRAM产能将缓步转换至生产影像感应器（CMOS image sensor），不过平泽二厂将启动量产，以减缓Line13投片下滑，同时间导入1Z纳米量产。整体而言，明年三星总投片量变化不大，1Z纳米比重也不会太高，维持审慎增加产出态度。

SK海力士方面，除持续将M10的DRAM投片转移至生产影像感应器，并将增加M14产出。至于大陆无锡的2座新厂，受中美贸易战影响，投片规划倾向保守。美光方面，台湾美光存储器（原瑞晶）已全数以1X纳米生产，下一目标将直接以1Z纳米生产，不过实际贡献将从2020年开始；而台湾美光晶圆科技（原华亚科）已有过半比例导入1X纳米，至于1Y纳米约佔3成。

图片来源：集邦科技

（校对/holly）

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