在当前CES 2020举行的当下，包括AMD与英特尔两家处理器大厂都将在会场中发表全新一代的处理器，虽然这些处理器预估还是会支援DDR4存储器，但是面对传输量越来越大，必须拥有越来越快传输速度存储器的当下，下一代DDR5存储器也已经开始准备量产。

根据外电报导，美商存储器大厂美光(Micron)于7日正式宣布，将开始向客户出样最新的DDR5存储器，以第3代的10纳米级1z纳米制程来打造，其性能提升了85%。

报导指出，美光表示，相较DDR4存储器，DDR5标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。而其他的性能提升还包括电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、汇流排效率提高、增加预取的Bank Group数量等。

而美光现在出样的DDR5存储器是使用了最新的1z纳米制程，大概是12到14纳米节点之间，ECC DIMM规格，频率DDR5-4800，比现在的DDR4-3200存储器性能提升了87%左右。不过，与DDR5-6400的效能还有点距离，后期还有持续提升的空间。

对于新一代的DDR5存储器来说，平台的支援是最大的问题。因为目前还没有正式支援DDR5存储器的平台，因此市场上要购买到内建DDR5存储器的产品则还要等上一段时间。

其中，AMD预计将会在2021年的Zen4架构处理器上更换介面，开始支援DDR5存储器。而英特尔在14纳米及10纳米制程的处理器上，目前都没有明确规划支援DDR5存储器。根据英特尔官方路线图显示，预计要到2021年的7纳米制程处理器Sapphire Rapids上才会开始支援DDR5，而且还是以服务器处理器为主，消费级的处理器产品预计还要再晚一些时间。

另外，根据美光之前的说法，目前美光正在生产第2代10纳米级1y纳米制程技术的12Gb LPDDR4X以及16Gb DDR4存储器。

在未来客户针对DDR5存储器试样完成后，将会开始准备1z纳米的产线来开始生产。不过，对于1z纳米产业的生产，美光现在尚未决定是否导入EUV极紫外光科设备来协助生产。目前，美光的竞争对手三星已经在1z纳米制程中导入EUV设备来协助生产。

来源：科技新报

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